報告題目：氧化鎵薄膜生長與光電性能研究

報  告 人：曹偉偉 副研究員

報告時間：2024年12月12日上午10:00

報告地點：輕工學院學術(shù)報告廳（實驗樓1B112）

研究生院 輕工科學與工程學院（柔性電子學院）

                                                                                                                                             2024年12月10日

報告人簡介：

曹偉偉，副研究員，中國科學院西安光學精密機械研究所空間科學微光探測技術(shù)研究室副主任，瞬態(tài)光學與光子技術(shù)國家重點實驗室光電探測器骨干成員，中國科學院超快診斷重點實驗室空間微光核心探測器技術(shù)攻關(guān)組組長。長期從事電真空、半導體光電探測器材料與器件工藝技術(shù)研究和空間科學探測應用。熟悉InGaAs、Ga2O3等材料與器件體系，掌握單光子成像探測器、電真空與半導體技術(shù)結(jié)合的光電混合探測（HPD）等光電探測器件的開發(fā)。所研制的紫外單光子陽極探測器搭載電離層成像探測儀在軌穩(wěn)定運行4年，負責的一體化IsCMOS相機支撐高能宇宙輻射探測設施（HERD）完成國際聯(lián)合評審。